DMN6140L-7 与 BSS670S2L H6327 区别
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规格信息
型号	DMN6140L-7	BSS670S2L H6327
唯样编号	A-DMN6140L-7	A-BSS670S2L H6327
制造商	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	小信号MOSFET	小信号MOSFET
描述	N-Channel 60 V 140 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表	DMN6140L-7.pdf	BSS670S2L H6327.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	-	1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs	140mΩ@1.8A,10V	650mΩ@270mA,10V
上升时间	-	25ns
产品特性	-	车规
Qg-栅极电荷	-	2.26nC
栅极电压Vgs	±20V	±20V
正向跨导 - 最小值	-	600mS
封装/外壳	SOT-23	SOT-23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	2.3A	540mA
配置	-	Single
长度	-	2.9mm
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	-
下降时间	-	24ns
高度	-	1.10mm
漏源极电压Vds	60V	55V
Pd-功率耗散(Max)	700mW(Ta)	360mW
典型关闭延迟时间	-	21ns
FET类型	N-Channel	N-Channel
通道数量	-	1Channel
系列	-	BSS670S2
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	315pF @ 40V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	8.6nC @ 10V	-
典型接通延迟时间	-	9ns
库存与单价
库存	0	3,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
DMN6140L-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±20V 700mW(Ta) 140mΩ@1.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.3A	暂无价格	0	当前型号
BSS670S2L H6327	Infineon	数据手册	小信号MOSFET	55V 540mA 650mΩ@270mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规	暂无价格	3,000	对比
DMN6140LQ-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	±20V 700mW(Ta) 140mΩ@1.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 2.3A 车规	暂无价格	0	对比
DMN6140L-13	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	N-Channel 700mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 1.6A(Ta)	暂无价格	0	对比
DMN6140L-13	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	N-Channel 700mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 1.6A(Ta)	暂无价格	0	对比
DMN6140LQ-13	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	N-Channel 700mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 1.6A(Ta) 车规	暂无价格	0	对比